こんな風に入ってます。
普通に使うときは逆バイアスされているのでないのと一緒。 でもスイッチに使うと、オフの状態なのに、
ダイオードを通って逆流してしまいます。 双方向のスイッチを作りたいときは、
いわゆる「バックツーバック」（背中合わせ）にします。 なぜかフェースツーフェースとは言わない。
電源の逆挿し防止に、電源と直列にダイオードを入れることがあります。 でもシリコンPN接合には約0.6Vの電圧降下があってムダに電力を消費します。 そもそも、入力電圧が要求している電圧ピッタリだとダイオードを直列に入れることすらできません。 そういう時はダイオードを逆バイアスになるように電源と並列に入れて、電源との間にヒューズを入れたりするわけだ。 ところが、MOSFETのボディダイオードを使うと、
VgsがVthに達するまでは普通のダイオードと同じですが、DS間がターンオンするとあら不思議、電圧降下がほぼ0になります。 「あれ？ ドレインとソース、向きが逆じゃない？」と思ったあなたはちょっと鋭い。 この場合はボディダイオードを積極的に使うので、逆バイアスではなく順バイアスになるように、つまり、普通とはドレインとソースを逆につなぎます。 普通と同じようにつないでしまうと、電源を逆挿ししたときに順バイアスになってしまうので、逆挿し防止になりません（逆挿し推奨？）。 Vgsが最大定格を超えないように注意。 超えてしまう場合はツェナーでも入れてやってください。
ブリッジにすれば全波整流もできちゃう。
5Vくらいだとバカにならない。 ゲートをもっとちゃんと制御するといわゆる同期整流（たぶん）。
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